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設備名稱：分子束外延（MBE）
設備用途：
MBE是生長高純薄膜晶體的一種頂尖的薄膜生長手段，相比其他生長方法具有較高的優(yōu)越性，可以在原子層量級精確控制薄膜厚度和摻雜度，可以實現(xiàn)通過人為生長進行能帶工程的剪裁，可以生長量子點、量子阱、二維超晶格等。
可生長外延結構
光學器件（激光器、探測器、可飽和吸收鏡、超輻射發(fā)光二極管等）
電學器件（HEMT，pHEMT,HBT等）
主要規(guī)格及技術指標
生長室最高工作溫度800℃；可生長GaAs，AlAs，InAs，InP等III-V族材料，可進行Be，Si、C等摻雜；生長室真空度優(yōu)于5E-11Torr，兼容2inch、3inch、4inch、6inch
